碳化硅是地球上豐度極高的兩種元素碳和硅構成的化合物，在地殼礦脈中卻難見其蹤。在地球長達數十億年的演化過程中，都沒有形成有工業(yè)應用價值的結晶態(tài)碳化硅礦物。迄今為止，人們只是在金剛石或火山巖中發(fā)現了少量共生的天然結晶態(tài)碳化硅。已知最早發(fā)現的碳化硅源于46億年前太陽系剛剛誕生時的一顆隕石，因此它又被稱為“經歷46億年時光之旅的半導體材料”。
1824年，Berzelius第一次報道了包含硅碳化合物的合成。
1992年，Acheson發(fā)明了二氧化硅，碳和添加物合成SiC的工藝，規(guī)模化量產工業(yè)用碳化硅，用來切割，研磨和拋光。
1905年Moissan發(fā)現了天然SiC，并將之命名為莫桑石（Moissanite）
1907年Round首次發(fā)現碳化硅的電致發(fā)光現象，制備了最早的LED二極管。
1959年4月舉辦了第一次碳化硅國際會議，半導體器件的先驅者，雙極型晶體管的發(fā)明人1956年諾貝爾物理獎獲得者肖克萊W.B.Shockley說：“今天電子學領域可能有兩個特別重要的問題：一個是小型化，是器件變小，變復雜和變快的過程，另一個是與新環(huán)境有關的問題，如較高的溫度和抗輻射”他認為SiC的化學鍵非常強，適合于制作高溫器件，需要對SiC材料做廣泛深入的研究，或許有一天，大的SiC單晶很容易生長，這些都需要做不懈的努力。
1959年9月，已故著名物理學家，復旦大學教授謝希德提出，碳化硅晶體具有耐高溫與抗輻射特性，有可能用來制造半導體激光器。
1978年，蘇聯(lián)的Y.M.Tairov和V.F.Tsvetkov發(fā)明了碳化硅晶體生長的物理氣相輸運（Physical Vapor Transport , PVT）技術。
1983年，德國人G.Ziegler采用所謂的改進Lely法（Modified Sublimation Process）成功生長出碳化硅晶體。
1987年，美國北卡羅來納州立大學的研究組宣布采用籽晶升華法（Seed-growth Sublimation Process）成功生長出碳化硅晶體，并于1987年7月，在北卡羅來納州達勒姆成立了CREE公司，專門開展碳化硅晶體生長和碳化硅晶片的商業(yè)化生產。曾一度占有全球襯底用碳化硅晶片市場60%～70%的份額。
1989年，CREE公司推出了世界上第一款基于SiC材料上生產的藍色LED。
1997?年，中科院物理所正式布局?SiC?晶體研究，由陳小龍研究員牽頭。通過團隊長期的基礎研究，最終攻克了?SiC?單晶生長中的種種難題。生長出了高質量的?2?英寸?4H?和?6H?晶型的?SiC?單晶。
2006?年?9?月，北京天科合達藍光半導體有限公司引進了物理所?SiC?晶體生長相關專利技術，在國內率先開始?SiC?晶體產業(yè)化工作。2012?年，公司開始量產?4?英寸?SiC?晶體，2018?年開始量產?6?英寸?SiC?晶體，開始了中國碳化硅之旅。
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